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SK 海力士與 Sandisk 發表 HBF (High Bandwidth Flash) 開放標準。HBF 旨在將模型權重從昂貴的 HBM 中解耦，緩解記憶體牆困境並大幅降低 HBM 建置成本。
AI技術迎來關鍵突破，全新架構能大幅縮減DRAM用量。這項創新的AI技術透過優化記憶體效率與快閃記憶體整合，不僅有望遏止DRAM漲價潮，更將重新定義記憶體與算力中心的硬體配置格局。
三星李在鎔與OpenAI高層展開密談，雙方聚焦半導體與HBM供應合作。面對AI浪潮，三星與OpenAI將強化HBM產能佈局，並透過半導體技術優勢，共同打造下一代算力基礎設施與轉型藍圖。
SK 海力士執行長預警，受到 AI 基礎建設需求激增影響，全球記憶體短缺困境恐持續至 2030 年後。面對這場史無前例的記憶體短缺危機，SK 海力士看好 AI 長遠發展將超越網際網路，...
HBM之父金正浩指出 AI 的本質是記憶體，目前 GPU 運算利用率僅約一成，瓶頸在於記憶體之牆。未來 AI 發展將由記憶體主導，透過 HBM、HBF 與 HBS 打造 3D 晶片架構...
三星正研發行動版 HBM，將伺服器級記憶體塞進手機，以突破端側 AI 算力極限。這項行動版 HBM 技術將徹底改變端側 AI 應用，引爆行動裝置效能革命。
SK 海力士與 Intel 強強聯手，導入 2.5D 封裝技術，鞏固 HBM 記憶體王位。這項 2.5D 封裝將滿足 AI 算力對 HBM 的極致需求。
三星斥巨資訂購曝光機，大幅提升新一代記憶體產能。然而，這些記憶體產能幾乎全數用於AI伺服器，恐導致消費級記憶體價格居高不下，AI伺服器需求正改變市場結構。
英特爾展示革命性 ZAM 記憶體技術，功耗砍半、單晶片容量達 512GB，並透過 Z-Angle 架構解決散熱難題。這項 ZAM 記憶體有望徹底改變 AI 運算領域的遊戲規則。
Intel重磅回歸記憶體市場！攜手軟銀開發下一代ZAM記憶體，鎖定AI與高效能運算。這項革命性的ZAM技術，將為Intel在AI時代的記憶體佈局帶來新契機。
