日本 Rapidus 宣戰台積電！誓言 1 奈米差距縮至 6 個月，晶片霸主地位受挑戰？

日本半導體新星 Rapidus 展現出強烈的企圖心。Rapidus 總裁兼執行長小池淳義近日對外表示，公司正全面加速先進製程技術的研發腳步，終極目標是在 1 奈米製程節點上，將與晶圓代工龍頭台積電的技術落差縮小到大約 6 個月。

台積電穩紮穩打，1奈米落腳台灣中部科學園區

根據目前業界消息，台積電的 1.4 奈米和 1 奈米製程極有可能會率先部署於台灣中部科學園區，該廠區預計命名為 Fab 25 。這項龐大的擴產計畫預計投資高達 490 億美元（約合新台幣 1.56 兆元），並規劃興建四座先進晶圓廠。

其中第一階段的兩座晶圓廠將專門投入 1.4 奈米製程，預計在 2028 年下半年進入量產階段，隨後的第二階段將進一步推進到 1 奈米製程。市場傳聞更指出，台積電將在 1 奈米製程節點首度導入 High-NA EUV（高數值孔徑極紫外光）曝光機，相關的開發工作預計會在 2030 年前完成，並大約在 2030 年實現量產。

Rapidus 緊追在後，計畫2029年量產1.4奈米

面對台積電的穩健佈局，Rapidus 也不甘示弱。他們計畫在今年正式啟動 1.4 奈米製程的開發工作，量產時間點鎖定在 2029 年，這個進度有可能會與韓國大廠三星的時間表相當接近。外界分析，如果 Rapidus 真的要在 1 奈米製程上將與台積電的差距縮小到 6 個月以內，這意味著 Rapidus 必須極力拚搏，在 2030 年下半年至 2031 年之間順利進入量產階段。

Rapidus 的背景可謂是日本晶片國家隊等級。這家公司是在 2022 年，由 Sony、豐田、NTT、三菱、NEC、鎧俠和軟銀等八家日本指標性企業共同出資成立的合資企業，其核心宗旨就是要實現日本在地化先進半導體製程的設計與製造。

截至目前，Rapidus 已經在日本北海道千歲市建置了創新整合製造工廠（IIM-1），初期的目標是放眼在 2027 年順利量產 2 奈米晶片。不僅如此，為了長遠發展，Rapidus 更計畫在 2027 會計年度（2027 年 4 月至 2028 年 3 月）啟動第二座晶圓廠的建設工程，並將眼光放得更遠，開始規劃更先進的 1.4 奈米甚至是 1 奈米製程。

彎道超車難度極高，良率與客戶才是關鍵

過去也有不少半導體廠喊出要超車台積電的口號，但先進製程的推進不僅僅是砸錢蓋廠或是看路線圖就能達成的。台積電之所以能稱霸，靠的是長年累積的良率控制、龐大的專利庫以及與無晶圓廠（Fabless）客戶之間深厚的信任關係。Rapidus 雖然有日本政府與國內企業的鼎力相助，但要在短短幾年內跨越 2 奈米、1.4 奈米再到 1 奈米，且還要確保良率足以支撐商業化量產，無疑是一場極度艱鉅的挑戰。未來這家日本半導體新星是否能如期達標，仍有待市場檢驗。