iPhone 16 正考慮改用密度更高、速度更慢的QLC快閃記憶體

蘋果和其他智慧型手機生產商已經逐步增加了產品的儲存容量，但這樣做會增加硬體成本。現在，蘋果似乎正在考慮使用一種更便宜的儲存器。據報導，蘋果公司可能會改變其高容量 iPhone 16 機型所使用的快閃記憶體類型，考慮使用密度更高、但速度可能更慢的四層單元 NAND。

據業內人士透露，蘋果可能會改變儲存容量，不再使用三層單元（TLC）NAND 快閃記憶體，而是在儲存容量達到或超過 1TB 的機型上使用四層單元（QLC）NAND 快閃記憶體。

與 TLC 相比，QLC 的優勢在於每個儲存單元可以儲存四位資料，而不是三位。這使得 QLC NAND 快閃記憶體在使用相同數量的單元時比 TLC 儲存更多的資料，或者使用更少的單元儲存更多的資料。理論上，這可以降低生產成本。

然而，QLC 在做到這一點的同時也做出了一些犧牲。QLC NAND 快閃記憶體被認為不如 TLC 快閃記憶體可靠，寫入資料的耐久性會降低，因為每個單元寫入的次數更多，因為每個單元多包含一個位元。

QLC NAND 快閃記憶體可以儲存 16 種不同的電荷電平，而 TLC 僅能儲存 8 種電荷電平。讀取資料時，由於電荷量增加，裕量減少，這就有可能因噪聲增加而導致位錯誤增加。

如果蘋果公司繼續執行這一計畫，最終將意味著擁有 1TB 儲存容量的 iPhone 16 使用者可能會遇到資料寫入速度低於低容量使用者的情況。這反過來又會降低對性能有較高要求的使用者的某些性能。

性能上的差異可能還不足以成為問題。例如，市售的固態硬碟在快取記憶體已滿的情況下，TLC 快閃記憶體的寫入速度可達 550MB/s，而同類 TLC 版本的寫入速度可能只有 450MB/s 或 500MB/s。

這對於工作站電腦而非移動裝置來說更為重要。移動裝置的快閃記憶體寫入往往是突發的，而不像工作站那樣是持續的。