ASML 開發新一代 Hyper NA EUV 曝光機，瞄準 5nm 單次曝光解析度

全球半導體設備龍頭 ASML 正著手研發全新一代 Hyper NA EUV（極紫外光）曝光機，目標是支援未來十年甚至更遠的製程技術需求。ASML 研發資深副總裁 Jos Benschop 透露，ASML 與長期合作夥伴蔡司（Carl Zeiss）正在進行設計研究，致力打造能以單次曝光達成 5 奈米解析度的新型光刻機，滿足 2035 年以後的先進製程挑戰。

目前 ASML 最先進的 EUV 設備單次曝光可達約 8 奈米解析度，而在過去，若想達到這樣的精度往往需多次曝光，不僅降低效率，也增加良率風險。

再次推升曝光技術上限，數值孔徑朝 0.7 以上邁進

ASML 正與蔡司針對下一代 Hyper NA EUV 進行深入設計規劃，目標將數值孔徑（NA, Numerical Aperture）推升至 0.7 以上。目前，傳統 EUV 設備的 NA 為 0.33，而最新的 High NA EUV 則已提升至 0.55。

數值孔徑是光學系統解析能力的關鍵參數，NA 越高代表系統對光線的收集與聚焦能力越強，進而提高晶圓圖樣的精細度。搭配更短波長的光源技術，將有助於達成更高解析、更低功耗的新一代晶片設計。

儘管這款 Hyper NA EUV 曝光設備尚未有明確上市時程，但 ASML 已明確釋出訊號，預告晶圓製造技術的下一個世代正逐步成形，也將為 2 奈米以下甚至原子級製程技術鋪路。

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