傳台積電整合 8 吋舊廠，轉向自研 EUV 光罩薄膜以提升良率、降低成本

根據《Digitimes》的報導，台積電計劃在兩年內退出氮化鎵（GaN）代工市場，並關閉新竹科學園區的 6 吋二廠，整併旗下 8 吋晶圓三廠（Fab 3）、五廠（Fab 5）與八廠（Fab 8）。此舉被視為台積電自 2025 年初啟動舊廠精簡計劃以來的重要進展。

為了緩解人力短缺與降低營運成本，同時提升產能利用率，台積電預計將約三成員工調派至南部科學園區與高雄新廠區。

將 8 吋廠轉型為自研 EUV 薄膜量產基地

據了解，原本的 6 吋廠將轉型為 CoPoS 面板級封裝生產線，而整併後的 8 吋廠將承擔一項全新任務——量產台積電自行研發的 EUV 光罩薄膜（Pellicle）。

此一策略意在降低對荷蘭 ASML 及其供應鏈的依賴，並透過自有研發製程技術，一方面提升極紫外光（EUV）光刻製程的良率，另一方面也有助於控制製造成本。

薄膜製程是先進節點的關鍵配角

EUV 薄膜是覆蓋在光罩上的保護層，主要功能是防止微粒污染。然而，傳統有機材料在透光性與熱穩定性方面表現不佳，導致目前多數晶圓廠仍採「無薄膜生產」方式，需頻繁更換光罩以維持產線穩定，進而增加成本與停機時間。

台積電認為，對於 7nm 以下的先進製程節點而言，EUV 薄膜將是關鍵輔助技術。透過自研方案，有機會大幅提升生產效率、擴充產能並進一步提高營運獲利能力。

高 NA 設備價格昂貴，台積電調整投資節奏

過去十年，台積電針對先進製程投入破紀錄的資本支出。雖然 EUV 技術成功將晶片節點推向更小尺寸，但其所需設備成本極高。例如，一台標準 EUV 掃描機售價約為 1.5 億美元（約新台幣 48 億元），而下一代 High-NA 設備更突破 3.5 億美元（約新台幣 112 億元），且由 ASML 壟斷供應。

因此，台積電也開始放緩 High-NA EUV 設備的採購時程，轉而積極投入更具性價比的光罩薄膜自研計畫。