SSD固態硬碟30年的進化歷史,如何從20MB容量進化到100TB巨獸?

SSD固態硬碟30年的進化歷史,如何從20MB容量進化到100TB巨獸?

不知道大家是否還記得自己的第一個固態硬碟有多大?自1991年第一款商用SSD開始,商用固態硬碟的發展已經在不知不覺間超過了30年。每次談起固態硬碟,總難免要說到顆粒、主控晶片,我們很容易掉進「唯顆粒論」的迴圈,卻忽視了這些年來相關技術的發展。

固態硬碟的前世

首先來說說最為普及的機械硬碟的缺點,由於機械硬碟必須由磁頭,懸架,轉軸和碟片組成的機械架構,而遺憾的是,由於機械架構的存在,硬碟不能像CPU那樣透過製程的改進,在一定的空間內放置更多的電晶體提高性能。目前硬碟的主軸轉速基本沒有太大的提高空間了,主流的7200RPM已經很久沒有提高了。而萬轉成本太高只用於企業級領域。

1970年代,StorageTek公司試圖開發一款固態硬碟。但由於成本高昂,速度緩慢,性能不穩定,使得它被悄無聲息的扼殺於搖籃之中。直到1989年,世界上第一塊固態硬碟才應用於醫療和軍用領域,但是依然屬於少數。1991年第一款商用SSD問世,當時只有20MB的容量,但是消費者依然不感興趣。畢竟當時硬碟的成長還大有可為,沒人對於這種昂貴的產品感興趣。

一直到2007年7月,IBM在其刀鋒伺服器上,部署了SanDisk SSD,算是開始被主流承認需求,於是固態硬碟再一次走進了人們的視野。

實際上隨著主控晶片與顆粒技術的不斷進化,固態硬碟產品早已實現了精細化分類,下面我們就從快閃記憶體、快閃記憶體類型、主控晶片這幾個方面來聊聊固態硬碟這些年有哪些改變。

快閃記憶體顆粒的演進

聊起固態硬碟就有個無法避免的話題,那就是玩家們經常討論到的「顆粒」。資深的玩家們應該知道,固態硬碟經常被討論到的晶片包括主控晶片、快閃記憶體和DRAM,而關於顆粒的討論度恰恰又是最高的那個。

目前被廣泛討論的快閃記憶體顆粒其實屬於NAND快閃記憶體,該類型的快閃記憶體自2009年出現在固態硬碟上至今,已經被廣泛應用到我們日常使用的個人電腦上。

NAND快閃記憶體的工作方式有個特點,就是如果我們要為已經寫入資料的快閃記憶體再寫入資料,需要先把它的資料抹除,才能重新寫入。隨著被抹除和寫入的次數增多,NAND快閃記憶體會有耗損,這也是固態硬碟壽命用「寫入次數」來形容的原因。

早期的NAND快閃記憶體都是鋪設在平面上的,被稱作「2D NAND」。就像在設計停車場的停車位一樣,在地面面積固定的情況下,無論路線如何精妙,這個停車場能容納的車位都是有限的,為了應對越來越大的停車(資料儲存)需求,那只好做多層的停車場,一層不夠那就做二層甚至三層。在2D NAND時代,廠商為了盡量利用有限的面積,只有不斷使用新工藝技術,但隨著串擾等問題,導致快閃記憶體顆粒不再能單純依靠工藝進步帶來提升,東芝和三星開始押注3D NAND(三星將其稱作V-NAND)。

NAND快閃記憶體也是一樣的道理,2D NAND的容量是有限的,那就做3D NAND,目前美光已經做到了176層NAND量產,快閃記憶體密度以及成本壓縮達到了空前高度,在不久的未來,192層NAND也即將量產,屆時更高容量、成本更低的固態硬碟有望誕生。

在爭議聲中成長的快閃記憶體類型:從SLC到QLC

根據固態硬碟的工作原理,其資料儲存在半導體單元內,已經被廣泛商用的類型主要有四種,分別是SLC、MLC、TLC、QLC,其中SLC屬於1bit/cell,MLC屬於2bit/cell,TLC屬於3bit/cell,QLC屬於4bit/cell。這個數值的意思是每個儲存單元的資料,比如SLC一個單元只有一位元資料,單個儲存單元內的資料位元數越多,就要求主控晶片控制的精度越高。

因此SLC顆粒的耐用度P/E(壽命)、速度以及成本都是各類型中最高的,這些參數隨著單元內資料的增加而減少,從MLC到TCL再到QLC,未來甚至還有5bit/cell的PLC成為商用產品。

透過資料對比,可以更直觀地知道不同類型的NAND快閃記憶體的參數差異,SLC NAND快閃記憶體的重覆寫入次數在10000次以上,MLC NAND快閃記憶體的重覆寫入次數在3000~10000之間,TLC快閃記憶體的重覆寫入次數在1000~3000之間,QLC NAND快閃記憶體的重覆寫入次數在1000次以內。

在目前固態硬碟的應用中,使用純SLC NAND快閃記憶體的固態硬碟基本上以軍用或者商用為主,而MLC則大多以高階消費級產品和商用產品為主,應付日常使用需求的固態硬碟,只要使用TLC NAND足矣,至於QLC NAND快閃記憶體的固態硬碟,優點是容量足夠大,單次完全擦寫週期被延長了,壽命較短的缺點也可以被部分彌補。

以產品類型十分豐富的三星為例,該廠的固態硬碟就涵蓋了這四種快閃記憶體類型,各自的代表分別為採用MLC 3D NAND的三星970 Pro、採用TLC 3D NAND的三星980/三星860 EVO以及採用QLC 3D NAND的三星860 QVO。

提起快閃記憶體類型的時候,玩家們常常在意於消費級MLC快閃記憶體產品逐漸轉向商用,TLC快閃記憶體和QLC快閃記憶體開始成為消費級主流。這個過程的確一直以來都備受爭議,但不可否認的是,消費者如今能用更少的錢買到容量更大,性能更高的固態硬碟產品。

主控晶片大升級:技術完善,讀寫速度暴增幾十倍

廠商們能放心地使用理論壽命更低的TLC和QLC快閃記憶體,主要原因是主控晶片愈發強大,我們能看到的大多數固態硬碟參數都離不開主控晶片,比如讀寫速度快慢、連接埠協議、TRIM支援、磨損平衡以及垃圾回收機制等等。從過去費用高昂,讀取速度僅有1、200MB/s的SATA固態硬碟,到如今順序讀取速度突破7000MB/s的PCIe 4.0固態硬碟,這些直觀的參數進化離不開固態硬碟主控晶片的不斷升級。

固態硬碟的主控晶片屬於整個產品的中樞,一方面它要透過外部連接埠與主機進行資料通訊,接收和處理主機的命令,另一方面還要管理快閃記憶體,使其能更快速妥當地儲存資料,並兼顧快閃記憶體晶片的壽命。

從固態硬碟主控晶片誕生至今,這個晶片已經得到了飛速發展,並支援更多保障資料完整和資料安全、監控硬碟健康、延長快閃記憶體顆粒壽命的技術,比如TRIM、S.M.A.R.T技術、壞塊管理、LDPC除錯、斷電保護等等。

正因為有了愈發強大的主控晶片,過去長期被消費者鄙夷的TLC固態硬碟才得以成為目前消費級固態硬碟的主流,甚至催生了一批得到使用者認可的高階固態硬碟。主控晶片如此重要,對主控晶片的研發能力也就成為了儲存產品開發廠商的實力的展現。

目前既有自研主控晶片同樣輸出消費級產品的代表,自然是擁有強大供應鏈的三星,其自研主控晶片只應用在自家產品上,目前被應用在三星980 Pro上的Elpis主控晶片,在搭配V-NAND 3-bit MLC快閃記憶體(即TLC)以及2GB DDR4 SDRAM時,可實現最高7000MB/s的順序讀取速度和5100MB/s的順序寫入速度。

此外,馬牌、聯芸、群聯、慧榮等主流一二線廠商,也針對不同定位提供了豐富的主控晶片產品供第三方廠商採購,部分廠商還提供一站式的整合方案。市面上的固態硬碟產品能呈現出百花齊放之勢,也離不開一眾主控晶片方案提供商的努力。

容量大跨越:從2007年的32GB到2020年的8TB

前面鋪墊的那麼多技術性的概念,但不得不承認,對於普通消費者來說,聊起硬碟首先想到的就是容量,畢竟作為影響儲存資料多少最直觀表現,容量的變遷就是上面提到的快閃記憶體、主控晶片等因素綜合體現。

回歸到標題上,世界上第一個商用固態硬碟在1991年由SunDisk(即現在的SanDisk)推出,它的容量只有20MB,到了2018年,由Nimbus Data推出的ExaDrive DC100 SSD具備了正如其名的驚人容量,這個100不是代表100GB,而是100TB!這27年間商用級固態硬碟的容量翻了百萬倍,如果說商用產品距離消費者端太遠,那不妨回到消費級產品。

從2007年SunDisk發布的2.5吋32GB固態硬碟,到2020年,消費者已經能買到8TB容量的固態硬碟,也怪不得越來越多消費者感到,現在的固態硬碟的容量已經大有趕超機械硬碟的趨勢。雖然目前我們能買到的大容量固態硬碟大多是QLC快閃記憶體產品,但是固態硬碟本身隨機讀寫性能優勢是機械硬碟難以比擬的,也是在可預見的未來中,幫助大容量固態硬碟迅速普及的法寶。

至於玩家擔心的壽命問題,我們可以將當年初次使用TLC快閃記憶體的三星840 EVO與初次使用QLC快閃記憶體的三星860 QVO做對比,前者的1TB版本官方耐用值為72TBW,而後者的1TB版本官方耐用值已經漲到360TBW,雖然兩者均遠遠落後於三星870 EVO 1TB版本的600TBW,但這也說明如今的主控晶片技術及快閃記憶體工藝,QLC固態硬碟的壽命沒有想像中糟糕。值得一提的是,8TB容量版的三星870 QVO耐用值高達2880TBW,按每天寫入1TB資料來算,能使用將近8年。

我們真正擔心的是QLC固態硬碟的緩外性能衰減,以測試過的三星860 QVO為例,其1TB版本的緩外寫入速度只有80MB/s,這已經低於機械硬碟的水準,即便是4TB版本,其緩外寫入速度也僅有160MB/s,所以目前QLC固態硬碟的定位依舊是儲存裝置,不太適宜頻繁讀寫的作業環境。

總結:固態硬碟早已融入生活

隨著固態硬碟產品的不斷改進和成熟,我們已經很久沒有再聽到過它是否會取代其他類型硬碟的爭論,取而代之的是,我們見到越來越多的消費者在討論何種固態硬碟適合用在何種應用場景。

目前消費級固態硬碟市場尚未有真正壟斷級的巨頭誕生,作為消費者的我們還能享受「百花齊放」的紅利。不過隨著PCIe Gen5連接埠的升級,以及新型快閃記憶體的出現,或許新一輪的更新潮就要到來,就讓我們拭目以待吧。

 

MOS
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訪客
1.  訪客 (發表於 2022年2月10日 20:50)
請教...
一、緩外寫入速度 = QLC 顆粒「真實寫入速度」(80MB/s ... or 160MB/s)?
二、「Turbo Write」是另外配置一塊(容量較小的)SLC 顆粒?(還是將少部分 QLC 顆粒模擬成 SLC 顆粒?)
三、承上,其目的是...讓測試軟體跑出來的數值好看一些?
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