Intel再投200億美元建2座晶片工廠，半導體進入埃米級製程時代

9月9日Intel CEO基辛格宣佈在美國俄亥俄州投資200億美元新建大型晶圓廠，這是Intel IDM 2.0戰略的一部分，整個投資計畫高達1000億美元，新工廠預計2025年量產，屆時「1.8nm」技術將讓Intel重新回到半導體領導者地位。

基辛格去年2月份擔任Intel CEO以來，開始大力推動在美國及全球建廠，其中美國本土的投資至少超過400億美元，去年已經在亞利桑那州投資200億美元建晶圓廠，這次是在俄亥俄州同樣投資200億美元，還在新墨西哥州建設新的封測工廠。

Intel這座工廠也是美國通過528億美元的晶片補貼法案之後本土新建的大型半導體晶片廠，為此美國總統拜登也出席了開工儀式，還有俄亥俄州州長等地方首長。

Intel的晶片製造基地將有2座晶圓廠組成，最多可容納8個廠房及配套的生態支援系統，佔地面積將近1000英畝，也就是4平方公里之大，將創造3000個高薪工作，7000多個建築工作，以及數萬個供應鏈合作工作。

這兩座晶圓廠預計會在2025年量產，Intel沒有具體提到工廠的內容，但是Intel之前表示要在4年內掌握5代CPU技術，2024年就要量產20A及18A兩代技術，因此這裡的工廠屆時應該也會量產18A技術。

20A、18A是全球首個達到埃米級的晶片技術，相當於其它晶圓廠的2nm、1.8nm製程，還會首發Intel兩大黑科技技術Ribbon FET及PowerVia。

根據Intel所說，RibbonFET是Intel對Gate All Around電晶體的實現，它將成為公司自2011年率先推出FinFET以來的首個全新電晶體架構。該技術加快了電晶體開關速度，同時實現與多鰭結構相同的驅動電流，但佔用的空間更小。

PowerVia是Intel獨有的、業界首個背面電能傳輸網路，通過消除晶圓正面供電布線需求來最佳化訊號傳輸。