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Galaxy S27 將首發搭載全新 2 奈米旗艦晶片 Exynos 2700,採用第二代 2 奈米製程

Galaxy S27 將首發搭載全新 2 奈米旗艦晶片 Exynos 2700,採用第二代 2 奈米製程

三星預計將於 2027 年上半年正式推出全新旗艦手機 Galaxy S27 系列。這一次,他們準備在全球首發搭載自研的新一代旗艦晶片 Exynos 2700。

這無疑是三星在沉寂一段時間後,再次向高階行動處理器市場吹響的進攻號角。

高管親口證實,Exynos 2700 研發進度順利

根據外媒報導,三星 LSI 業務部總裁 Park Yong-In 在近期的內部簡報會上公開透露,團隊正在積極推進 Exynos 2700 的研發工作,且進展非常順利。

這也是三星高層首次在公開場合,正式提及這款尚未面世的超強 SoC。Park Yong-In 明確表示,Exynos 2700 的誕生目標只有一個——就是為了應用在最頂級的智慧型手機上。這也間接證實了,這顆晶片將由自家下一代旗艦 Galaxy S27 系列首發搭載。

Galaxy S27 將首發搭載全新 2 奈米旗艦晶片 Exynos 2700,採用第二代 2 奈米製程

採用第二代 2 奈米製程,效能與能耗大幅進化

據悉,Exynos 2700 將採用三星晶圓代工(Samsung Foundry)最新的第二代 2 奈米製程技術(SF2P)打造。

相較於上一代 Exynos 2600 所使用的 SF2 工藝,全新的 SF2P 製程在電晶體密度和能效表現上都有顯著的突破。不僅整體效能提升了 12%,功耗更大幅降低了 25%,同時在晶片良率方面也有所改善。

除了製程工藝的躍進,Exynos 2700 還將全面支援最新的儲存標準,包含 LPDDR6 記憶體以及 UFS 5.0 快閃記憶體。新世代標準的導入,將為手機帶來更驚人的資料傳輸速率,進一步推升整機的運作效率。

全新散熱架構與雙晶片策略並行

值得注意的是,三星這次在散熱管理上也下足了功夫。

為了應對強大效能帶來的廢熱,Exynos 2700 預計將採用 Side-by-Side (SbS) 架構。這個設計將處理器與 DRAM 並排配置於同一基板上,並搭配強化的熱路徑區塊(Heat Path Block, HPB)覆蓋,藉此達到更優異的散熱效果。

在市場佈局方面,三星預計將延續其傳統的雙晶片策略。針對不同國家與地區的市場,Galaxy S27 系列將會分別搭載 Exynos 2700 或是高通(Qualcomm)下一代的旗艦處理器。據傳,三星的目標是讓 Exynos 2700 驅動全球高達一半的 Galaxy S27 設備。

綜合來看,Exynos 2700 從製程、能效、儲存規格到散熱架構,均實現了全方位的升級,堪稱是三星迄今為止最強悍的 2 奈米晶片。它的實際表現,絕對會是未來 Android 旗艦陣營最受矚目的一大看點。

 

 

 

NetEase
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