根據 DigiTimes 的最新半導體供應鏈調查顯示,受到人工智慧(AI)硬體需求持續高企以及下一代晶片封裝工藝結構性瓶頸的雙重夾擊,高頻寬記憶體(HBM)的報價將在未來兩年迎來新一輪的暴漲。預計到 2027 年,新一代 HBM4 記憶體每 Gb 單價將會翻倍。
HBM4 製造難度極高,生產週期長達 6 個月拉低晶圓產出率
業內人士透露,預計於 2026 年底至 2027 年正式導入量產的下一代 HBM4 記憶體,其每 Gb(Gigabit)的合約採購單價預計將攀升至 4 至 5 美元甚至更高。相較之下,2026 年下半年主流的 HBM3e 價格則維持在相對平穩的水準。
這波調價的最主要原因,在於 HBM4 極其恐怖的物理製造難度。
與目前採用傳統記憶體製程的 HBM3e 不同,HBM4 將首次採用邏輯製程作為其最底部的基礎控制晶片(Base Die),這需要向台積電等晶圓代工廠採購先進的 5 奈米或 3 奈米產能。
同時,由於堆疊層數直奔 16 層,整顆 HBM4 的物理製造與封裝測試週期被生生拉長到了 4 至 6 個月之久,且初期的封裝檢測良率預計將顯著低於現有成熟產品。
消耗高達三倍晶圓,記憶體大廠產能嚴重吃緊
此外,晶圓消耗量也是不可忽略的成本因素。
半導體專家指出,生產同等容量的 HBM4 所需要消耗的矽晶圓物理面積,是傳統 DDR5 記憶體的三倍以上。這直接導致三星電子、SK 海力士與美光這三大記憶體巨頭的晶圓產能被嚴重擠壓。
在 AI 資料中心建設狂潮未減、上游先進產能供給極度受限的現實下,晶粒的物理短缺將無法避免。這波記憶體成本的暴漲,也將反過來對 NVIDIA Blackwell Ultra 及 AMD 新一代 AI 加速卡的整機售價帶來巨大的上調壓力。
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