三星宣佈3nm晶片成功下線,規模化量產時間臨近

三星宣佈3nm晶片成功下線,規模化量產時間臨近

外媒報導,三星宣佈他們的3nm製程技術已經正式下線(Tape-out)。據介紹,三星的3nm製程採用的是GAA架構,性能優於台積電的3nm FinFET架構。

三星在3nm製程的下線進度是與新思科技(Synopsys)合作完成的,目的在於加速為GAA架構的生產流程提供高度優化的參考方法。因為三星的3nm製程採用不同於台積電或英特爾採用的FinFET的架構,而是採用GAA的結構。因此,三星採用了新思科技的Fusion Design Platform。

在技術性能上,GAA架構的晶體管能夠提供比FinFET更好的靜電特性,可滿足某些柵極寬度的需求。而這主要表現在同等尺寸結構下,GAA的溝道控制能力得以強化,借此給予尺寸進一步微縮提供了可能性。

三星宣佈3nm晶片成功下線,規模化量產時間臨近

三星代工設計技術團隊副總裁 Sangyun Kim 表示,三星電子最新且先進的 3nm GAA 製程技術,受惠於與新思科技合作,Fusion Design Platform 加速準備,有效達成 3nm製程技術承諾,證明關鍵聯盟的重要性和優點。

此次下線是由Synopsys和三星代工廠合作完成的。先前,三星曾在2020年完成3nm的開發,但開發成功並不意味著產品最終進入量產的時間可以確定。伴隨著此次成功下線,三星3nm晶片大規模量產的時間點已經正式臨近。

先進製程一直是台積電、三星以及英特爾重要的角力戰場。隨著三星3nm採用GAA打算彎道超車,台積電則在3nm製程上仍持續採用FinFET架構, 在已知的技術基礎上可以持續帶給客戶有成本競爭力、效能表現佳的產品 。

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