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ASML 開發新一代 Hyper NA EUV 曝光機,瞄準 5nm 單次曝光解析度

ASML 開發新一代 Hyper NA EUV 曝光機,瞄準 5nm 單次曝光解析度

全球半導體設備龍頭 ASML 正著手研發全新一代 Hyper NA EUV(極紫外光)曝光機,目標是支援未來十年甚至更遠的製程技術需求。ASML 研發資深副總裁 Jos Benschop 透露,ASML 與長期合作夥伴蔡司(Carl Zeiss)正在進行設計研究,致力打造能以單次曝光達成 5 奈米解析度的新型光刻機,滿足 2035 年以後的先進製程挑戰。

目前 ASML 最先進的 EUV 設備單次曝光可達約 8 奈米解析度,而在過去,若想達到這樣的精度往往需多次曝光,不僅降低效率,也增加良率風險。

再次推升曝光技術上限,數值孔徑朝 0.7 以上邁進

ASML 正與蔡司針對下一代 Hyper NA EUV 進行深入設計規劃,目標將數值孔徑(NA, Numerical Aperture)推升至 0.7 以上。目前,傳統 EUV 設備的 NA 為 0.33,而最新的 High NA EUV 則已提升至 0.55。

數值孔徑是光學系統解析能力的關鍵參數,NA 越高代表系統對光線的收集與聚焦能力越強,進而提高晶圓圖樣的精細度。搭配更短波長的光源技術,將有助於達成更高解析、更低功耗的新一代晶片設計。

儘管這款 Hyper NA EUV 曝光設備尚未有明確上市時程,但 ASML 已明確釋出訊號,預告晶圓製造技術的下一個世代正逐步成形,也將為 2 奈米以下甚至原子級製程技術鋪路。

 

 

KKJ
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快科技成立於1998年,是驅動之家旗下科技媒體業務,中國極具影響力的泛科技領域媒體平台之一。

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娛樂城權威專家
1.  娛樂城權威專家 (發表於 2025年7月03日 23:07)
ASML最新推出的Hyper-NA EUV光刻機,專為5奈米製程設計,根據TechBang報導,此設備大幅提升晶片製造精度與生產效率,推動半導體技術進入新紀元。其突破性技術有助於穩定供應鏈,滿足高性能運算需求,與專業球版平台對即時數據與穩定運行的追求高度契合,兩者均致力於提升系統穩定性與使用體驗,展現尖端科技與平台技術完美結合。
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