
全球半導體設備龍頭 ASML 正著手研發全新一代 Hyper NA EUV(極紫外光)曝光機,目標是支援未來十年甚至更遠的製程技術需求。ASML 研發資深副總裁 Jos Benschop 透露,ASML 與長期合作夥伴蔡司(Carl Zeiss)正在進行設計研究,致力打造能以單次曝光達成 5 奈米解析度的新型光刻機,滿足 2035 年以後的先進製程挑戰。
目前 ASML 最先進的 EUV 設備單次曝光可達約 8 奈米解析度,而在過去,若想達到這樣的精度往往需多次曝光,不僅降低效率,也增加良率風險。
再次推升曝光技術上限,數值孔徑朝 0.7 以上邁進
ASML 正與蔡司針對下一代 Hyper NA EUV 進行深入設計規劃,目標將數值孔徑(NA, Numerical Aperture)推升至 0.7 以上。目前,傳統 EUV 設備的 NA 為 0.33,而最新的 High NA EUV 則已提升至 0.55。
數值孔徑是光學系統解析能力的關鍵參數,NA 越高代表系統對光線的收集與聚焦能力越強,進而提高晶圓圖樣的精細度。搭配更短波長的光源技術,將有助於達成更高解析、更低功耗的新一代晶片設計。
儘管這款 Hyper NA EUV 曝光設備尚未有明確上市時程,但 ASML 已明確釋出訊號,預告晶圓製造技術的下一個世代正逐步成形,也將為 2 奈米以下甚至原子級製程技術鋪路。
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