軟銀攜手 Intel 開發新型 AI 記憶體晶片，與現有HBM記憶體不同、耗電量有望減半

《日經亞洲》報導，日本軟銀（SoftBank）近日宣布，正與 Intel（英特爾）共同開發一款全新的 AI 專用記憶體晶片，預計能有效降低能源消耗，為日本打造高效率、低能耗的 AI 計算基礎設施奠定關鍵基礎。

根據計畫，雙方將合作研發一款新型堆疊式 DRAM 記憶體，並採用與現有高頻寬記憶體（HBM）不同的布線設計，有望將整體功耗削減約 50%。

此項目由新創公司 Saimemory 負責主導，該公司技術來源自英特爾，並整合東京大學等日本高校的專利技術。Saimemory 將專注於晶片設計與專利管理，實際的製造工作則會交由外部代工廠執行。

目前團隊目標是在兩年內完成原型開發，並視成效評估是否邁入量產階段，最終希望於 2020 年代內實現商業化。整體投資規模預估約為 100 億日圓（約新台幣 20 億元）。

其中，軟銀為最大出資方，投資額約為 30 億日圓（約新台幣 6 億元）。日本理化學研究所與神港精機（Shinko Electric）也正考慮以資金或技術方式加入此計畫，另有可能申請政府補助支援。

軟銀方面希望，這款低功耗記憶體未來可應用於其 AI 訓練資料中心。在 AI 加速進入企業決策、管理與數據分析等高階應用場景的趨勢下，對高效能且節能的資料處理架構需求也隨之升高。若此晶片能如期問世，將有機會成為建構下一代 AI 中心的關鍵技術之一。