三星宣布2027年HBM產能全部賣光！HBM4營收爆發翻三倍，記憶體缺貨竟然要到2028年？

半導體巨頭三星電子於 2026 年第三季財報電話會議上投下市場震撼彈，正式宣布旗下 2027 年度的全數 HBM（高頻寬記憶體）產能已按照預期目標價格全數售罄，供不應求的緊繃態勢超乎預期。

三星記憶體部門高層進一步示警，在 AI 伺服器與高效能運算的強力拉動下，整體 DRAM 記憶體的嚴峻短缺態勢將至少一路延續至 2028 年；同時晶圓代工 8nm 以下先進製程稼動率更預計將強勢突破 100%。

HBM4營收單季暴增三倍，長約鎖定七成產能依舊搶翻

在關鍵的高頻寬記憶體賽道上，三星展現出強勁的技術追趕與變現動能。官方數據指出，最新次世代 HBM4 的銷售額在第三季呈現爆發式成長，單季季增率突破 3 倍，目前已佔整體 HBM 產品線總營收的 60%。

隨著 HBM4 快速放量，三星已提前達成了「HBM 產品市佔率齊平全系列 DRAM 整體市佔」的既定戰略目標，成功扭轉了先前在 AI 記憶體市場上的被動落後局勢。

面對市場的瘋狂掃貨，三星目前已與 10 家一線巨頭簽署了長期供貨協議（LTA），並正與另外 10 家客戶深入洽談多年期長約。長約客戶群已從傳統雲端伺服器，全面延伸至智慧手機、智慧車用與高階網路通訊領域。

三星原定目標是透過多年期協議鎖定 60% 至 70% 的產能，然而下游客戶的滾動續簽意願遠超出官方預期，甚至有多家核心客戶在合約期間主動提出追加採購配額的要求。

從整體記憶體營運表現來看，受惠於結構性缺貨，三星第三季 DRAM 與 NAND 快閃記憶體出貨容量雖然僅維持個位數微幅增長，但平均銷售價格（ASP）卻分別大漲 20% 與接近 10%，特別是企業級高密度 QLC 固態硬碟需求異常火熱。

三星官方樂觀預估，第四季 DRAM 出貨容量季增率將拉升至 15% 至 20%，NAND 快閃記憶體亦有約 15% 的增幅，反映上游儲存產業正式邁入獲利暴衝的超級週期。

除了記憶體部門交出亮眼成績單，三星晶圓代工事業部亦同步宣布將擴大對南韓本土與美國晶圓廠的資本支出，同步加速建設先進封裝產能，並積極評估興建更多新廠。

三星代工業務預估，隨著 AI 晶片代工訂單大量湧入，旗下 8nm 及以下先進製程節點的產能利用率即將突破 100% 大關，展現出半導體產線全面滿載的強大動能。