ASML最新技術藍圖公開！High-NA EUV量產速度翻倍，更強大的Hyper-NA也要來了

在全球人工智慧（AI）算力需求持續噴發的當下，半導體先進製程的產能瓶頸，始終繞不開曝光機這道關鍵門檻。

日前，全球唯一極紫外光（EUV）曝光機供應商艾司摩爾（ASML）在 SPIE EUVL 大會上公布了最新技術路線圖。ASML 除了加速推進現有的 0.55NA High-NA EUV 大規模量產，更首度拋出下一代 Hyper-NA EUV 的長期技術藍圖。

High-NA 技術進入關鍵期，EXE:5200B 吞吐量達每小時 175 片

根據 ASML 披露的最新進度，0.55NA High-NA 技術的產業化已步入關鍵的量產準備階段。

回顧時程：

• EXE:5000 首發機型*：於 2023 年第四季出貨，並在 2024 年第三季順利完成首片晶圓的曝光測試。
• EXE:5200B 升級機種*：已於 2025 年第四季正式交付。該系統預計搭載於 2025 年亮相的 1000W 瓦等級雷射光源，能將晶圓產能（吞吐量）一舉拉升至每小時 175 片（WpH），大幅提升晶圓廠的生產效率。
• 截至 2025 年 12 月，全球已累計生產超過 50 萬片 High-NA 晶圓。

相較於傳統的 0.33NA EUV 曝光機，全新的 0.55NA 系統能將關鍵晶圓層的曝光次數從 3 次（多重曝光）縮減至僅需 1 次（單次曝光），在大幅簡化製造步驟的同時，亦顯著壓低了整體製程的複雜度與生產成本。

ASML 資深技術高層 Chris DeRuiter 表示，High-NA 邁向大規模量產的勢頭極為良好，未來數年內，它將穩坐先進製程量產的核心支柱。

首度預告 Hyper-NA：突破 0.75 數值孔徑，瞄準 2030 年後市場

除了 High-NA 的好消息，ASML 首次公開的 Hyper-NA 長期藍圖更引起業界矚目。

Hyper-NA EUV 的數值孔徑（NA）將進一步突破 0.75。

ASML 技術高級副總裁 Jos Benschop 指出，該技術預計將在 2030 年代中後期落地。這個時間點，剛好能承接 2033 年「A7 節點」之後的先進半導體製程需求。

引進 Hyper-NA 的核心目的，是希望在更極限的物理尺度下，依然能維持「單次曝光（Single Exposure）」的物理可行性，避免陷入過度複雜的多重曝光深淵。

另外，半導體業界與大眾常會誤會，所謂的 A7 節點常被外界通稱為「0.7 奈米代次」，但這其實只是一個行銷與密度指標的「命名規則」（概念與 A14 被稱為 1.4 奈米相同），與晶片內部的實際物理特徵尺寸（例如柵極寬度或金聯間距）並無直接對應關係。

事實參照：A7 節點代表的是當前 0.55NA High-NA EUV 曝光機進行「單次曝光」的極限。一旦製程超越 A7，High-NA 就必須走向多重曝光，或者改用 NA 大於 0.75 的 Hyper-NA 技術來維持單次曝光的優勢。

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