三星1.4奈米最新進度流出！High NA EUV到位 2029年決戰先進製程

根據韓國媒體 the bell 的最新報導，三星電子正重新加速 1.4nm (SF1.4) 晶片製程節點的研發步伐。這項先進製程原本被寄予厚望，一度計劃於 2027 年投入量產，然而隨後因為晶圓代工業務的重心與資源配置發生調整，使得原定的量產時間表被延後至 2029 年。

儘管面臨時程延宕，三星電子並未放慢技術突圍的腳步。為了確保未來在晶圓代工市場的競爭力，三星電子近期已積極向應用材料 (Applied Materials) 與泛林研究 (Lam Research) 等主要的半導體硬體設備供應商，分享了其 SF1.4 製程的技術方案，期望藉此展開更緊密的合作。

攜手供應鏈與引進關鍵設備

透過與這些全球半導體設備巨頭的技術交流，三星電子期盼能實現上下游產業鏈的深度協力。這項策略旨在加速打造出最適合 1.4nm 節點的硬體設備組合，其中也涵蓋了針對標準設備進行的客製化版本開發，以滿足新一代製程的嚴苛要求。

在核心曝光設備方面，三星電子已順利從 ASML 引進了備受矚目的 High NA EUV (高數值孔徑極紫外光) 曝光圖案化設備。目前，這台先進機台已經部署於其 NRD-K 半導體研發綜合體中。對三星電子而言，這台 High NA EUV 曝光機預計最快將在 SF1.4 節點正式投入晶片生產。

除了在邏輯晶片代工領域積極佈局外，三星電子在記憶體領域也持續推進技術藍圖。

據悉，該公司已開始針對第 12 代 V-NAND 記憶體訂購相關設備。這項預計在 2030 年前後進入量產階段的新工藝，將採用更為先進的晶圓堆疊結構，展現其在多維度技術上的雄心。

綜合來看，三星電子雖然在先進製程的量產時間上有所調整，但其在關鍵硬體設備與上下游合作的投資卻未曾停歇。透過 1.4nm 製程的加速研發以及 High NA EUV 設備的導入，三星正蓄積能量，準備在未來的晶片代工與記憶體市場中，迎接更為激烈的技術挑戰與產業變革。