韓國兩大半導體巨擘三星電子(Samsung)與SK海力士(SK Hynix)日前正式宣布,將在未來十年內聯手推動一項規模空前的擴產計畫。這項總投資額預計高達1350萬億韓元(約合8700億美元)的龐大行動,主要涵蓋先進晶圓製造、AI數據中心建設以及高帶寬記憶體(HBM)的產能擴張。
在全球人工智慧浪潮推升算力需求的背景下,此舉不僅旨在鞏固韓國在全球記憶體市場的霸主地位,更是為了正面迎擊來自台積電與英特爾等晶圓代工競爭對手的巨大壓力。
政府與企業攜手,全方位升級半導體供應鏈
根據公開的投資藍圖,這項由韓國政府大力主導與支持的擴產計畫,被業界視為韓國半導體產業有史以來規模最龐大的戰略性投資。政府與企業設定的共同目標,是在未來五年內將國內的記憶體總產能翻倍,並大幅擴充DRAM與NAND Flash等關鍵記憶體晶片的生產設施,藉此為當前全球因AI熱潮而持續緊繃的供需局面注入新的強心針。
在具體的投資結構與分工上,三星電子與SK海力士的資金將會精準投入多個關鍵基礎設施環節。
這包含了新建多座最先進的晶圓廠、打造具備龐大運算能力的全新AI數據中心,以及同步加碼投資EUV曝光機、蝕刻設備與化學機械平坦化(CMP)等高階半導體製造設備。其中,SK海力士預計將向清州生產基地投入約400萬億韓元,用於擴建現有工廠與新建生產線;而韓國西南與忠清道地區也將獲得數百萬億韓元的資金挹注,目標是構建一個具備強大區域化規模效應的全國性半導體製造樞紐。
爭奪下一代AI算力主導權
值得注意的是,按照雙方與韓國政府共同制定的十年路線圖,三星與SK海力士原定在2040年後才陸續投產的4至5座新一代先進晶圓廠,如今將全面加速推進,新目標時間點被大幅提前至2033年前後。這近十年的時程縮短,深刻凸顯了韓國在全球算力競賽以及記憶體市場供不應求壓力下的強烈緊迫感與必勝決心。
韓國政府在相關說明中強調,此次擴產不僅僅是單純的產能數字增加,更是圍繞著AI算力基礎設施、關鍵記憶體穩定供給與國家供應鏈安全所展開的長遠戰略佈局。隨著AI加速器對於高帶寬記憶體(HBM)的需求持續暴增,韓國正試圖透過這輪史無前例的鉅額投資,將自身打造成為全球AI與記憶體供應的絕對核心樞紐,進而在與台積電和英特爾的全球競爭中取得更為有利的戰略高地。
- 延伸閱讀:三星27年首度跌下神壇!SK海力士市值驚人超車,全因搶下輝達HBM先機
- 延伸閱讀:記憶體要貴到2030年?SK海力士董事長:即便產能翻倍也難救,手機、筆電全面受衝擊
- 延伸閱讀:降溫神器降臨!SK 海力士發表「iHBM」記憶體技術,嵌入導熱矽元件熱阻大降 30% 迎戰 AI 散熱瓶頸
請注意!留言要自負法律責任,相關案例層出不窮,請慎重發文!